吴洁1,2,卓沛元2,林云娇2,3,王露露2,3,黄佳1,林如辉3,陶静1,柳维林1
WU Jie1,2, ZHUO Pei-yuan2, LIN Yun-jiao2,3, WANG Lu-lu2,3, HUANG Jia1, LIN Ru-hui3, TAO Jing1, LIU Wei-lin1
摘要: 目的探讨电针神庭、百会穴对脑缺血再灌注大鼠海马突触可塑性和学习记忆能力的影响,及其可能的机制。方法雄性Sprague-Dawley 大鼠32 只,随机分为假手术组、模型组、电针组、非穴组,每组8 只。模型组、电针组、非穴组采用线栓法制备大鼠脑缺血120 min 再灌注模型。电针组电针神庭、百会14 d,非穴组电针大鼠双侧胁下非经非穴14 d。采用Morris 水迷宫检测学习记忆能力;电镜观察海马区突触形态;Western blotting 检测海马LIM激酶1 及其磷酸化水平。结果与假手术组比较,模型组大鼠逃避潜伏期明显增加(t>6.789, P<0.01),穿越平台次数显著减少(t=8.695, P<0.001),突触数减少,LIM激酶1 总蛋白(t=7.568,P<0.01)及磷酸化水平下降(t=8.874, P<0.001);与模型组比较,电针组大鼠平均逃避潜伏期明显减少(t>4.938, P<0.01),穿越平台次数显著增多(t=-7.891, P<0.001),突触数量增多,LIM激酶1 总蛋白(t=-6.473, P<0.01)及磷酸化水平上升(t=-6.579, P<0.01)。非穴组各项指标与模型组比较无显著性差异(P>0.05)。结论电针神庭、百会穴可以改善脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力,可能与LIM激酶1磷酸化水平升高进而改善突触可塑性有关。