毛春燕,孙莉,袁远
MAO Chun-yan, SUN Li, YUAN Yuan
摘要: 目的探讨改变P300 靶刺激概率对事件相关电位P300 潜伏期和波幅的影响。方法2014 年1~12 月就诊的记忆力减退患者35 例,分别进行靶刺激概率为0.10 和0.25 的事件相关电位P300 检查,分析P300 波的潜伏期、波幅及波幅下面积。结果两种靶刺激概率下,P300 潜伏期无显著性差异(t<0.256, P>0.800),波幅和波幅下面积均有显著性差异(t>4.259, P<0.05)。结论低概率靶刺激可能由于提高了患者的注意力而使波幅增高。P300 潜伏期不易受患者注意力干扰,是判断认知功能最重要的指标。